يشترى QS8J13TR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
QS8J13TR
- رقم القطعة:
- QS8J13TR
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19442 Pieces
- ورقة البيانات:
- QS8J13TR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل QS8J13TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك QS8J13TR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | TSMT8 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 1.25W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SMD, Flat Lead |
| اسماء اخرى: | QS8J13TRTR QS8J13TRTR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | QS8J13TR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6300pF @ 6V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 60nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.5A 1.25W Surface Mount TSMT8 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 12V |
| وصف: | MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5.5A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لQS8J13TR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
QS8J11TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8 | تحقيق |
 |
BUK9MJT-55PRF,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC | تحقيق |
 |
QJD1210SB1 | Powerex Inc. | MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC | تحقيق |
|
QS8J1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 | تحقيق |
 |
FDW2504P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8-TSSO | تحقيق |
|
QS8J12TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 | تحقيق |
 |
NTLJD4150PTBG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN | تحقيق |
 |
DMN3018SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO | تحقيق |
 |
SSM6N15AFE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 | تحقيق |
 |
SI4276DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO | تحقيق |
 |
SIA911EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | تحقيق |
 |
APTM120VDA57T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 | تحقيق |
 |
NTHD4102PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET | تحقيق |
 |
AOP609 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 60V 8DIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog