العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - إغبتس - واحدة > RGT30NS65DGTL
RGT30NS65DGTL
RGT30NS65DGTL
رقم القطعة:
RGT30NS65DGTL
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15887 Pieces
ورقة البيانات:
RGT30NS65DGTL.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RGT30NS65DGTL ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RGT30NS65DGTL عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RGT30NS65DGTL مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):650V
VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم:2.1V @ 15V, 15A
اختبار حالة:400V, 15A, 10 Ohm, 15V
تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C:18ns/64ns
تحويل الطاقة:-
تجار الأجهزة حزمة:LPDS (TO-263S)
سلسلة:-
عكس وقت الاسترداد (TRR):55ns
السلطة - ماكس:133W
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:RGT30NS65DGTLDKR
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:15 Weeks
الصانع الجزء رقم:RGT30NS65DGTL
نوع المدخلات:Standard
نوع IGBT:Trench Field Stop
بوابة المسؤول:32nC
وصف موسع:IGBT Trench Field Stop 650V 30A 133W Surface Mount LPDS (TO-263S)
وصف:IGBT 650V 30A 133W TO-263S
الحالي - جامع نابض (آي سي إم):45A
الحالي - جامع (IC) (ماكس):30A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لRGT30NS65DGTL

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IKW75N65EL5XKSA1 Image IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3 تحقيق
STGWS38IH130D Image STGWS38IH130D STMicroelectronics IGBT 1300V 55A 180W TO247 تحقيق
STGWA80H65FB Image STGWA80H65FB STMicroelectronics IGBT 650V 120A 469W TO247 تحقيق
IRG4RC10UTRLPBF Infineon Technologies IGBT 600V 8.5A 38W DPAK تحقيق
IXGH24N120C3 Image IXGH24N120C3 IXYS IGBT 1200V 48A 250W TO247 تحقيق
IKW30N65NL5XKSA1 Image IKW30N65NL5XKSA1 Infineon Technologies IGBT 650V 30A UFAST DIO TO247-3 تحقيق
IRGR4607DTRPBF Image IRGR4607DTRPBF Infineon Technologies IGBT 600V 11A 58W DPAK تحقيق
STGW15H120DF2 Image STGW15H120DF2 STMicroelectronics IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 تحقيق
APT95GR65JDU60 Microsemi Corporation INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO تحقيق
SGP23N60UFDTU Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 23A 100W TO220 تحقيق
IXYK140N90C3 IXYS IGBT 900V 310A 1630W TO264 تحقيق
FGA20N120FTDTU Image FGA20N120FTDTU Fairchild/ON Semiconductor IGBT 1200V 40A 298W TO3PN تحقيق

Latest الأخبار