يشترى RHRD660S9A_F085 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
RHRD660S9A_F085
- رقم القطعة:
- RHRD660S9A_F085
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19066 Pieces
- ورقة البيانات:
- RHRD660S9A_F085.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RHRD660S9A_F085 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RHRD660S9A_F085 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.1V @ 6A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252AA |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 35ns |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | RHRD660S9A_F085DKR |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | RHRD660S9A_F085 |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 6A Surface Mount TO-252AA |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 6A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRHRD660S9A_F085
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
EG01AV | Sanken | DIODE GEN PURP 600V 500MA AXIAL | تحقيق |
 |
RHRD660S9A_NL | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK | تحقيق |
 |
RRE02VSM4STR | Rohm Semiconductor | DIODE GP 400V 200MA TUMD2SM | تحقيق |
|
RHRD660S9A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3 | تحقيق |
 |
S2D-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | تحقيق |
 |
ES1PA-E3/85A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO220AA | تحقيق |
 |
S5K-E3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB | تحقيق |
 |
1SS394TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC59 | تحقيق |
 |
FES16CT | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 150V 16A TO220AC | تحقيق |
 |
UF3003-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD | تحقيق |
 |
EK 16V1 | Sanken | DIODE SCHOTTKY 60V 1.5A AXIAL | تحقيق |
 |
MBRX130-TP | Micro Commercial Co | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers