يشترى RHRD660S9A_NL مع BYCHPS
شراء مع ضمان
RHRD660S9A_NL
- رقم القطعة:
- RHRD660S9A_NL
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18415 Pieces
- ورقة البيانات:
- RHRD660S9A_NL.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RHRD660S9A_NL ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RHRD660S9A_NL عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.1V @ 6A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252AA |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 35ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | RHRD660S9A_NL |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 6A Surface Mount TO-252AA |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 6A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRHRD660S9A_NL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
D8025L | Littelfuse Inc. | DIODE GEN PURP 800V 15.9A TO220 | تحقيق |
 |
30WQ04FNTR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 40V 3.5A DPAK | تحقيق |
 |
MUH1PBHM3/89A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE RECT 1A 100V 25NS MICROSMP | تحقيق |
 |
GHR16-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.6KV 500MA R1 | تحقيق |
 |
PMEG3020BEP,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD128 | تحقيق |
 |
RHRD660S9A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3 | تحقيق |
 |
VS-SD300C32C | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE MODULE 3.2KV 540A D200AA | تحقيق |
|
RHRD660S9A_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3 | تحقيق |
 |
LSM160GE3/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 1A 60V SMBG | تحقيق |
 |
BY299P-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 2A DO201AD | تحقيق |
 |
MBRD330T4 | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 30V 3A DPAK | تحقيق |
 |
SBR3U20SA-13 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 20V 3A SMA | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog