RN1131MFV(TL3,T)
RN1131MFV(TL3,T)
رقم القطعة:
RN1131MFV(TL3,T)
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17878 Pieces
ورقة البيانات:
RN1131MFV(TL3,T).pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RN1131MFV(TL3,T) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RN1131MFV(TL3,T) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RN1131MFV(TL3,T) مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 500µA, 5mA
نوع الترانزستور:NPN - Pre-Biased
تجار الأجهزة حزمة:VESM
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):-
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):100k
السلطة - ماكس:150mW
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:SOT-723
اسماء اخرى:RN1131MFV(TL3T)CT
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:RN1131MFV(TL3,T)
تردد - تحول:-
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
وصف:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:120 @ 1mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات