العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف، قبل منح > RN1910FE(T5L,F,T)
RN1910FE(T5L,F,T)
RN1910FE(T5L,F,T)
رقم القطعة:
RN1910FE(T5L,F,T)
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13461 Pieces
ورقة البيانات:
RN1910FE(T5L,F,T).pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RN1910FE(T5L,F,T) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RN1910FE(T5L,F,T) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RN1910FE(T5L,F,T) مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:ES6
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):-
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):4.7k
السلطة - ماكس:100mW
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:SOT-563, SOT-666
اسماء اخرى:RN1910FE(T5LFT)CT
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:RN1910FE(T5L,F,T)
تردد - تحول:250MHz
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
وصف:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:120 @ 1mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لRN1910FE(T5L,F,T)

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
RN1911FETE85LF Image RN1911FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 تحقيق
RN1906(T5L,F,T) Image RN1906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 تحقيق
RN1910FE,LF(CT Image RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 تحقيق
RN1910,LF(CT Image RN1910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 تحقيق
RN1911(T5L,F,T) Image RN1911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 تحقيق
RN4981,LF(CT Image RN4981,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 تحقيق
BCR148SE6433HTMA1 Image BCR148SE6433HTMA1 Infineon Technologies TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 تحقيق

Latest الأخبار