يشترى RN1911FETE85LF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
RN1911FETE85LF
- رقم القطعة:
- RN1911FETE85LF
- الصانع:
- Toshiba Semiconductor
- وصف:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19892 Pieces
- ورقة البيانات:
- RN1911FETE85LF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RN1911FETE85LF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RN1911FETE85LF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 50V |
|---|---|
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| نوع الترانزستور: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ES6 |
| سلسلة: | - |
| المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم): | - |
| المقاوم - قاعدة (R1) (أوم): | 10k |
| السلطة - ماكس: | 100mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-563, SOT-666 |
| اسماء اخرى: | RN1911FE(TE85L,F) RN1911FETE85LFTR |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | RN1911FETE85LF |
| تردد - تحول: | 250MHz |
| وصف موسع: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| وصف: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 120 @ 1mA, 5V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 100nA (ICBO) |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRN1911FETE85LF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
XN0221100L | Panasonic Electronic Components | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5 | تحقيق |
 |
FMG11AT148 | Rohm Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5 | تحقيق |
 |
RN1910FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | تحقيق |
 |
RN1503(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV | تحقيق |
 |
RN1911(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 | تحقيق |
 |
DCX123JU-7-F | Diodes Incorporated | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 | تحقيق |
|
DDC143TU-7 | Diodes Incorporated | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 | تحقيق |
|
RN1910,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 | تحقيق |
|
RN1910FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog