RN4982FE(T5L,F,T)
RN4982FE(T5L,F,T)
رقم القطعة:
RN4982FE(T5L,F,T)
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16412 Pieces
ورقة البيانات:
RN4982FE(T5L,F,T).pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RN4982FE(T5L,F,T) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RN4982FE(T5L,F,T) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RN4982FE(T5L,F,T) مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:ES6
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):10k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):10k
السلطة - ماكس:100mW
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:SOT-563, SOT-666
اسماء اخرى:RN4982FE(T5LFT)DKR
RN4982FE(T5LFT)DKR-ND
RN4982FELF(CBDKR
RN4982FELF(CTDKR
RN4982FELF(CTDKR-ND
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:RN4982FE(T5L,F,T)
تردد - تحول:250MHz
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
وصف:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:50 @ 10mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات