العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > RQ7E055ATTCR
RQ7E055ATTCR
RQ7E055ATTCR
رقم القطعة:
RQ7E055ATTCR
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
PCH -30V -5.5A MIDDLE POWER MOSF
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19739 Pieces
ورقة البيانات:
RQ7E055ATTCR.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RQ7E055ATTCR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RQ7E055ATTCR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RQ7E055ATTCR مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 1mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TSMT8
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:24.5 mOhm @ 5.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1.5W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SMD, Flat Lead
اسماء اخرى:RQ7E055ATTCRTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:RQ7E055ATTCR
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:860pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:18.8nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 30V 5.5A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount TSMT8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:PCH -30V -5.5A MIDDLE POWER MOSF
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:5.5A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لRQ7E055ATTCR

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SSM6K781G,LF Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C تحقيق
EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE تحقيق
IRFZ30 Image IRFZ30 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB تحقيق
IXTH80N20L Image IXTH80N20L IXYS MOSFET N-CH 200V 80A TO-247 تحقيق
IRF7809TR Image IRF7809TR Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-SOIC تحقيق
BS108,126 Image BS108,126 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 تحقيق
BSP135H6906XTSA1 Image BSP135H6906XTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 تحقيق
SI5484DU-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET تحقيق
FQAF90N08 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 80V 56A TO-3PF تحقيق
RCX160N20 Image RCX160N20 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 200V 16A TO220 تحقيق
IPW90R340C3 Image IPW90R340C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 900V 15A TO-247 تحقيق
APTM120SK68T1G Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 تحقيق
RQ3E100MNTB1 Image RQ3E100MNTB1 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 تحقيق
SUD50N02-09P-GE3 Image SUD50N02-09P-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 20A TO252 تحقيق
NTR3C21NZT3G Image NTR3C21NZT3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 تحقيق
IRFR9120NTRLPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK تحقيق
CSD18537NQ5AT Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 50A 8SON تحقيق
AUIRF7416QTR Image AUIRF7416QTR Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC تحقيق
IXFR70N15 Image IXFR70N15 IXYS MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247 تحقيق
NTTD4401FR2 Image NTTD4401FR2 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO تحقيق

Latest الأخبار