يشترى SGP5N60RUFDTU مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SGP5N60RUFDTU
- رقم القطعة:
- SGP5N60RUFDTU
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- IGBT 600V 8A 60W TO220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18079 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.SGP5N60RUFDTU.pdf2.SGP5N60RUFDTU.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SGP5N60RUFDTU ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SGP5N60RUFDTU عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.8V @ 15V, 5A |
| اختبار حالة: | 300V, 5A, 40 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 13ns/34ns |
| تحويل الطاقة: | 88µJ (on), 107µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220 |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 55ns |
| السلطة - ماكس: | 60W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SGP5N60RUFDTU |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 16nC |
| وصف موسع: | IGBT 600V 8A 60W Through Hole TO-220 |
| وصف: | IGBT 600V 8A 60W TO220 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 15A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 8A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSGP5N60RUFDTU
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRG4BC20FD | Infineon Technologies | IGBT 600V 16A 60W TO220AB | تحقيق |
 |
STGW40H60DLFB | STMicroelectronics | IGBT 600V 80A 283W TO-247 | تحقيق |
 |
IRG4RC10KTR | Infineon Technologies | IGBT 600V 9A 38W DPAK | تحقيق |
 |
IXGH24N60C | IXYS | IGBT 600V 48A 150W TO247AD | تحقيق |
 |
IKA10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 11.7A 30W TO220-3 | تحقيق |
|
IRG8CH42K10F | Infineon Technologies | IGBT 1200V 40A DIE | تحقيق |
 |
AUIRG4BC30USTRL | Infineon Technologies | IGBT 600V 23A 100W D2PAK | تحقيق |
 |
STGP5H60DF | STMicroelectronics | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S | تحقيق |
 |
SGD06N60BUMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 12A 68W TO252-3 | تحقيق |
 |
IRGSL10B60KDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 22A 156W TO220-3 | تحقيق |
|
IXXH50N60B3D1 | IXYS | IGBT 600V 120A 600W TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog