SI1470DH-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة SI1470DH-T1-GE3

SI1470DH-T1-GE3

رقم القطعة:: SI1470DH-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET N-CH 30V 5.1A SC-70-6

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 18560 Pieces

ورقة البيانات:: SI1470DH-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI1470DH-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI1470DH-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SI1470DH-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	1.6V @ 250µA
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:	SC-70-6 (SOT-363)
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	66 mOhm @ 3.8A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):	1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
اسماء اخرى:	SI1470DH-T1-GE3TR SI1470DHT1GE3
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	SI1470DH-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	510pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	7.5nC @ 5V
نوع FET:	N-Channel
FET الميزة:	-
وصف موسع:	N-Channel 30V 5.1A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	30V
وصف:	MOSFET N-CH 30V 5.1A SC-70-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	5.1A (Tc)
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSI1470DH-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
AUIRFR4105ZTRL	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 30A DPAK	تحقيق
IXTN90P20P	IXYS	MOSFET P-CH 200V 90A SOT227	تحقيق
SI1473DH-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6	تحقيق
FQB46N15TM_AM002	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK	تحقيق
IXTN30N100L	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227	تحقيق
SI1470DH-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6	تحقيق
SI1472DH-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6	تحقيق
CSD19536KTTT	Texas Instruments	MOSFET N-CH 100V 200A TO263	تحقيق
SI1471DH-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6	تحقيق
SIA443DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6	تحقيق
RZY200P01TL	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3	تحقيق
SI7462DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8	تحقيق
STP14NK60ZFP	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 600V 13.5A TO-220FP	تحقيق
SI4390DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC	تحقيق
SI1471DH-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6	تحقيق
APT44F80B2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX	تحقيق
SI1473DH-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6	تحقيق
PH7630DLX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V LFPAK	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار