يشترى SI1472DH-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI1472DH-T1-E3
- رقم القطعة:
- SI1472DH-T1-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19688 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI1472DH-T1-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI1472DH-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI1472DH-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SC-70-6 (SOT-363) |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 57 mOhm @ 4.2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| اسماء اخرى: | SI1472DH-T1-E3TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SI1472DH-T1-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 380pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 11nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 5.6A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI1472DH-T1-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RCX450N20 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 45A TO220 | تحقيق |
 |
IRF1010ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTQ36N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P | تحقيق |
 |
APT20M19JVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 | تحقيق |
 |
FQB12P20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK | تحقيق |
 |
SI1473DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 | تحقيق |
|
SI1470DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6 | تحقيق |
 |
NTMFS4923NET3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL | تحقيق |
 |
IXFH40N85X | IXYS | MOSFET NCH 850V 40A TO247 | تحقيق |
 |
IXTN102N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227 | تحقيق |
|
SI1471DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 | تحقيق |
 |
NP160N04TUJ-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 | تحقيق |
|
SI1471DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6 | تحقيق |
 |
IXTK60N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 60A TO-264 | تحقيق |
|
SI1470DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 5.1A SC-70-6 | تحقيق |
|
IRFI710G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220FP | تحقيق |
 |
EPC2007C | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
IRFR2905ZTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | تحقيق |
|
TK16J60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N) | تحقيق |
|
SI1473DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog