يشترى SI1926DL-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI1926DL-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SI1926DL-T1-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12474 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI1926DL-T1-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI1926DL-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI1926DL-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | SC-70-3 (SOT323) |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.4 Ohm @ 340mA, 10V |
| السلطة - ماكس: | 510mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SI1926DL-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 18.5pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 1.4nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 370mA 510mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 370mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI1926DL-T1-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI5947DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK | تحقيق |
 |
IRF7329PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SI1972DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 | تحقيق |
 |
FDMC8097AC | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 150V | تحقيق |
 |
NVMFD5489NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8 | تحقيق |
 |
DMN3008SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | تحقيق |
 |
APTC60AM83BC1G | Microsemi Corporation | MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 | تحقيق |
 |
CMLDM7003TG TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 | تحقيق |
 |
SI7946DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI1926DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6 | تحقيق |
|
SI1922EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363 | تحقيق |
 |
NTZD3156CT5G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog