يشترى SI2310-TP مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI2310-TP
- رقم القطعة:
- SI2310-TP
- وصف:
- N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14805 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI2310-TP.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI2310-TP ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI2310-TP عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 125 mOhm @ 3A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 350mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | SI2310-TPMSTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SI2310-TP |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 247pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 3A 350mW Surface Mount SOT-23 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI2310-TP
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CSD23285F5 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V | تحقيق |
 |
SIE854DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK | تحقيق |
 |
EPC2014 | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
SI2312-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE | تحقيق |
 |
IRFBC20PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB | تحقيق |
 |
IXTQ470P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 42A TO3P | تحقيق |
 |
IRFS4229TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK | تحقيق |
 |
NTD20N06LT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | تحقيق |
 |
IRFP254 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC | تحقيق |
 |
SIHA12N50E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220FP | تحقيق |
 |
SPS01N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3 | تحقيق |
 |
NVMFS5C404NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL | تحقيق |
 |
BUK766R0-60E,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
DMP1022UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN | تحقيق |
 |
IRF520NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 | تحقيق |
 |
IRLU024NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK | تحقيق |
|
IPB09N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | تحقيق |
 |
APT5025BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD | تحقيق |
 |
BBS3002-DL-1E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK | تحقيق |
 |
MCQ4410-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog