يشترى SI2323DS-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI2323DS-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SI2323DS-T1-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12261 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI2323DS-T1-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI2323DS-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI2323DS-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±8V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-3 (TO-236) |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 750mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | SI2323DS-T1-GE3TR SI2323DST1GE3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SI2323DS-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1020pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 19nC @ 4.5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 20V 3.7A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.8V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI2323DS-T1-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI2323CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23 | تحقيق |
|
SI2323DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 | تحقيق |
|
SI2323DS-T1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 | تحقيق |
|
SI2323DDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23 | تحقيق |
|
SI2321DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23 | تحقيق |
|
SI2328DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT-23 | تحقيق |
|
SI2329DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23 | تحقيق |
|
SI2328DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 | تحقيق |
|
SI2325DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23 | تحقيق |
|
SI2327DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3 | تحقيق |
|
SI2321DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23 | تحقيق |
|
SI2325DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3 | تحقيق |
|
SI2327DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23 | تحقيق |
|
SI2324DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog