SI2327DS-T1-E3
رقم القطعة:
SI2327DS-T1-E3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12926 Pieces
ورقة البيانات:
SI2327DS-T1-E3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI2327DS-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI2327DS-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI2327DS-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-23-3 (TO-236)
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2.35 Ohm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):750mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:SI2327DS-T1-E3TR
SI2327DST1E3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SI2327DS-T1-E3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:510pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:12nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 200V 380mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:380mA (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات