SI3410DV-T1-E3
SI3410DV-T1-E3
رقم القطعة:
SI3410DV-T1-E3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18389 Pieces
ورقة البيانات:
SI3410DV-T1-E3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI3410DV-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI3410DV-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI3410DV-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:6-TSOP
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:19.5 mOhm @ 5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2W (Ta), 4.1W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SI3410DV-T1-E3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1295pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:33nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات