يشترى SI3417DV-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSOP |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 25.2 mOhm @ 7.3A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
اسماء اخرى: | SI3417DV-T1-GE3TR |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SI3417DV-T1-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1350pF @ 15V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 50nC @ 10V |
نوع FET: | P-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | P-Channel 30V 8A (Ta) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
وصف: | MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8A (Ta) |
Email: | [email protected] |