يشترى SI3430DV-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA (Min) |
---|---|
فغس (ماكس): | ±20V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSOP |
سلسلة: | - |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 170 mOhm @ 2.4A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 1.14W (Ta) |
التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
اسماء اخرى: | SI3430DV-T1-E3DKR |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SI3430DV-T1-E3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.6nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 100V 1.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 6V, 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
وصف: | MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.8A (Ta) |
Email: | [email protected] |