يشترى SI3993DV-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI3993DV-T1-E3
- رقم القطعة:
- SI3993DV-T1-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14037 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI3993DV-T1-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI3993DV-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI3993DV-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSOP |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 133 mOhm @ 2.2A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 830mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | SI3993DV-T1-E3TR SI3993DVT1E3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SI3993DV-T1-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 5nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.8A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI3993DV-T1-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI3993DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP | تحقيق |
 |
SIZF906DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V POWERPAIR | تحقيق |
 |
AUIRF7342Q | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC | تحقيق |
 |
ALD1108EPCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10V 16DIP | تحقيق |
|
SI3993CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP | تحقيق |
 |
SSM6L16FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6 | تحقيق |
 |
ZXMN2AMCTA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN | تحقيق |
 |
DMC2450UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | تحقيق |
|
IRF7380TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMC2038LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog