يشترى SI3993CDV-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI3993CDV-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SI3993CDV-T1-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12077 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI3993CDV-T1-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI3993CDV-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI3993CDV-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSOP |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 111 mOhm @ 2.5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 1.4W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | SI3993CDV-T1-GE3-ND SI3993CDV-T1-GE3TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SI3993CDV-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 210pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.4W Surface Mount 6-TSOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.9A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI3993CDV-T1-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTLUD3A260PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6 | تحقيق |
 |
SI3993DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP | تحقيق |
 |
APTM50DHM35G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6 | تحقيق |
|
SI3993DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP | تحقيق |
 |
IRF8852TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP | تحقيق |
 |
MP6K13TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A MPT6 | تحقيق |
 |
QJD1210SA2 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | تحقيق |
 |
FDC6506P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6 | تحقيق |
 |
SI4816DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NVMFD5853NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL | تحقيق |
 |
MMDF2P02ER2G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC | تحقيق |
 |
FPF1C2P5BF07A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog