يشترى SI4004DY-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 13.8 mOhm @ 11A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
اسماء اخرى: | SI4004DY-T1-GE3DKR |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | SI4004DY-T1-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1280pF @ 10V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 33nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 20V 12A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
وصف: | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |