العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > SI4108DY-T1-GE3
SI4108DY-T1-GE3
رقم القطعة:
SI4108DY-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19422 Pieces
ورقة البيانات:
SI4108DY-T1-GE3.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI4108DY-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI4108DY-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI4108DY-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SO
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:9.8 mOhm @ 13.8A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3.6W (Ta), 7.8W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:SI4108DY-T1-GE3DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SI4108DY-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2100pF @ 38V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:54nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 75V 20.5A (Tc) 3.6W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):75V
وصف:MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:20.5A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSI4108DY-T1-GE3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
CSD17484F4 Texas Instruments N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET تحقيق
IXFR180N06 Image IXFR180N06 IXYS MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247 تحقيق
IPW60R280P6FKSA1 Image IPW60R280P6FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO247-3 تحقيق
SI4100DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC تحقيق
IRFZ24S Image IRFZ24S Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK تحقيق
IXFK80N65X2 Image IXFK80N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 80A TO-264 تحقيق
IRF3805L-7PPBF Image IRF3805L-7PPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7 تحقيق
SI4102DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC تحقيق
SI4840DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC تحقيق
ZXMP7A17KTC Image ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK تحقيق
SI4101DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC تحقيق
FDBL86563_F085 Image FDBL86563_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 240A PSOF8 تحقيق
SI4104DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC تحقيق
SI4102DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC تحقيق
SI4104DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC تحقيق
SI4686DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC تحقيق
SI4100DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC تحقيق
STF13N80K5 Image STF13N80K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 12A TO-220FP تحقيق
SIE822DF-T1-E3 Image SIE822DF-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK تحقيق
IRFS59N10DPBF Image IRFS59N10DPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK تحقيق

Latest الأخبار