SI4559ADY-T1-E3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SI4559ADY-T1-E3

SI4559ADY-T1-E3

رقم القطعة:: SI4559ADY-T1-E3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 18186 Pieces

ورقة البيانات:: SI4559ADY-T1-E3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI4559ADY-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI4559ADY-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SI4559ADY-T1-E3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	3V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	8-SO
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	58 mOhm @ 4.3A, 10V
السلطة - ماكس:	3.1W, 3.4W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:	SI4559ADY-T1-E3TR SI4559ADYT1E3
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	15 Weeks
الصانع الجزء رقم:	SI4559ADY-T1-E3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	665pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	20nC @ 10V
نوع FET:	N and P-Channel
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array N and P-Channel 60V 5.3A, 3.9A 3.1W, 3.4W Surface Mount 8-SO
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	60V
وصف:	MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	5.3A, 3.9A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSI4559ADY-T1-E3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
SI4910DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC	تحقيق
SLA5064	Sanken	MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP	تحقيق
SI6928DQ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 4A 8-TSSOP	تحقيق
APTM10HM05FG	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6	تحقيق
IRF7306PBF	Infineon Technologies	MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC	تحقيق
IRF8513TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC	تحقيق
APTM50DSKM65T3G	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3	تحقيق
SI4554DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO	تحقيق
CSD87381P	Texas Instruments	MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB	تحقيق
IRF7331TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC	تحقيق
NTJD4105CT4	ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363	تحقيق
SI4559ADY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC	تحقيق
SI7956DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8	تحقيق
APTM120H29FG	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6	تحقيق
APTM50AM19STG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4	تحقيق
NTMD2C02R2	ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC	تحقيق
NTMD5836NLR2G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL	تحقيق
SIF912EDZ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار