SI4599DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SI4599DY-T1-GE3

SI4599DY-T1-GE3

رقم القطعة:: SI4599DY-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 13462 Pieces

ورقة البيانات:: SI4599DY-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI4599DY-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI4599DY-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SI4599DY-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	3V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	8-SO
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	35.5 mOhm @ 5A, 10V
السلطة - ماكس:	3W, 3.1W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:	SI4599DY-T1-GE3TR SI4599DYT1GE3
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	24 Weeks
الصانع الجزء رقم:	SI4599DY-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	640pF @ 20V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	20nC @ 10V
نوع FET:	N and P-Channel
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.8A, 5.8A 3W, 3.1W Surface Mount 8-SO
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	40V
وصف:	MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	6.8A, 5.8A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSI4599DY-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
FMM50-025TF	IXYS	MOSFET 2N-CH 250V 30A I4-PAC	تحقيق
CPH6635-TL-H	ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 30V/20V CPH6	تحقيق
ALD114835SCL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC	تحقيق
SI4590DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL	تحقيق
VQ2001P-2	Vishay Siliconix	MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP	تحقيق
DMC1029UFDB-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN	تحقيق
SI5943DU-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK	تحقيق
ECH8655R-R-TL-H	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8	تحقيق
GWM100-0085X1-SMD	IXYS	MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS	تحقيق
FDW2521C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP	تحقيق
SI4542DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC	تحقيق
SI4554DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO	تحقيق
SI6966DQ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP	تحقيق
NTMFD4C86NT3G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	تحقيق
DMN1150UFL3-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار