SI4590DY-T1-GE3
رقم القطعة:
SI4590DY-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17369 Pieces
ورقة البيانات:
SI4590DY-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI4590DY-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI4590DY-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI4590DY-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:8-SO
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:57 mOhm @ 2A, 10V
السلطة - ماكس:2.4W, 3.4W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:SI4590DY-T1-GE3TR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI4590DY-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:360pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:11.5nC @ 10V
نوع FET:N and P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:Mosfet Array N and P-Channel 100V 3.4A, 2.8A 2.4W, 3.4W Surface Mount 8-SO
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:3.4A, 2.8A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات