يشترى SI4778DY-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.2V @ 250µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 23 mOhm @ 7A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SI4778DY-T1-E3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 680pF @ 13V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 18nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 25V 8A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 25V |
وصف: | MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |