SI5442DU-T1-GE3
SI5442DU-T1-GE3
رقم القطعة:
SI5442DU-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17954 Pieces
ورقة البيانات:
SI5442DU-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI5442DU-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI5442DU-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI5442DU-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:900mV @ 250µA
فغس (ماكس):±8V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® ChipFet Single
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:10 mOhm @ 8A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):3.1W (Ta), 31W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:PowerPAK® ChipFET™ Single
اسماء اخرى:SI5442DU-T1-GE3DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI5442DU-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1700pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:45nC @ 8V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 20V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.8V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات