يشترى SI5480DU-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI5480DU-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SI5480DU-T1-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12091 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI5480DU-T1-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI5480DU-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI5480DU-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® ChipFet Single |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 16 mOhm @ 7.2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SI5480DU-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1230pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 34nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI5480DU-T1-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM50DAM19G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 163A SP6 | تحقيق |
 |
SI5480DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET | تحقيق |
|
SI5482DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET | تحقيق |
 |
NDD05N50Z-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5A IPAK | تحقيق |
|
SI5485DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | تحقيق |
|
SI5484DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | تحقيق |
|
SI5482DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET | تحقيق |
|
SI5481DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | تحقيق |
 |
IRFBE20L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262 | تحقيق |
 |
NTMS4107NR2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | تحقيق |
 |
FDFS2P753Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC | تحقيق |
|
SI5484DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | تحقيق |
 |
SI5486DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | تحقيق |
|
SI5485DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | تحقيق |
|
SI5486DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | تحقيق |
 |
CSD15571Q2 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 20V 22A 6-SON | تحقيق |
 |
RCX050N25 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 5A TO-220FM | تحقيق |
|
SI5481DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog