SI5486DU-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة SI5486DU-T1-GE3

SI5486DU-T1-GE3

رقم القطعة:: SI5486DU-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 13828 Pieces

ورقة البيانات:: SI5486DU-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI5486DU-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI5486DU-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SI5486DU-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	1V @ 250µA
فغس (ماكس):	±8V
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:	8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	15 mOhm @ 7.7A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):	3.1W (Ta), 31W (Tc)
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	8-PowerVDFN
اسماء اخرى:	SI5486DU-T1-GE3TR SI5486DUT1GE3
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	SI5486DU-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	2100pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	54nC @ 8V
نوع FET:	N-Channel
FET الميزة:	-
وصف موسع:	N-Channel 20V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):	1.8V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	20V
وصف:	MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	12A (Tc)
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSI5486DU-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
SI5485DU-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET	تحقيق
SI5482DU-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET	تحقيق
SI5481DU-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET	تحقيق
SI5486DU-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET	تحقيق
SI5480DU-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET	تحقيق
SI5482DU-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET	تحقيق
FQB6N70TM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK	تحقيق
IRFI4410ZPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 43A TO-220FP	تحقيق
SI5484DU-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET	تحقيق
SI5485DU-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET	تحقيق
SI5481DU-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET	تحقيق
SI5480DU-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET	تحقيق
IPI08CNE8N G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3	تحقيق
IXFN62N80Q3	IXYS	MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227	تحقيق
MCH6341-TL-W	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6	تحقيق
NTHS5441T1G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET	تحقيق
IXTC26N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220	تحقيق
SI5484DU-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار