يشترى SI5999EDU-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
---|---|
تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® ChipFet Dual |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
السلطة - ماكس: | 10.4W |
التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
حزمة / كيس: | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
اسماء اخرى: | SI5999EDU-T1-GE3DKR |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SI5999EDU-T1-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 496pF @ 10V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 10V |
نوع FET: | 2 P-Channel (Dual) |
FET الميزة: | Logic Level Gate |
وصف موسع: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
وصف: | MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6A |
Email: | [email protected] |