يشترى SI7454DDP-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI7454DDP-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SI7454DDP-T1-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17904 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI7454DDP-T1-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7454DDP-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7454DDP-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® SO-8 |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 33 mOhm @ 10A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® SO-8 |
| اسماء اخرى: | SI7454DDP-T1-GE3TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SI7454DDP-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 550pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 19.5nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 21A (Tc) 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 21A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI7454DDP-T1-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7457DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI7455DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI7456DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI7456DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI7450DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI7450DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI7456CDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI7454DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI7452DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI7455DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI7459DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI7459DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI7452DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI7454CDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI7454DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI7457DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
SI7456DDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog