SI7456CDP-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة SI7456CDP-T1-GE3

SI7456CDP-T1-GE3

رقم القطعة:: SI7456CDP-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 17111 Pieces

ورقة البيانات:: SI7456CDP-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7456CDP-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7456CDP-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SI7456CDP-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	2.8V @ 250µA
فغس (ماكس):	±20V
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:	PowerPAK® SO-8
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	23.5 mOhm @ 10A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):	5W (Ta), 35.7W (Tc)
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	PowerPAK® SO-8
اسماء اخرى:	SI7456CDP-T1-GE3TR SI7456CDPT1GE3
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	24 Weeks
الصانع الجزء رقم:	SI7456CDP-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	730pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	23nC @ 10V
نوع FET:	N-Channel
FET الميزة:	-
وصف موسع:	N-Channel 100V 27.5A (Tc) 5W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):	4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	100V
وصف:	MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	27.5A (Tc)
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSI7456CDP-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
SI7454CDP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8	تحقيق
SI7454DDP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8	تحقيق
SI7455DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8	تحقيق
SI7456DDP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8	تحقيق
SI7454DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8	تحقيق
SI7456DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8	تحقيق
SI7457DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8	تحقيق
SI7459DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8	تحقيق
SI7455DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8	تحقيق
SI7452DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8	تحقيق
SI7452DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8	تحقيق
SI7457DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8	تحقيق
SI7456DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8	تحقيق
SI7450DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8	تحقيق
SI7459DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8	تحقيق
SI7454DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8	تحقيق
SI7450DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار