يشترى SI7476DP-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® SO-8 |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.3 mOhm @ 25A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 1.9W (Ta) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | PowerPAK® SO-8 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | SI7476DP-T1-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 177nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 40V 15A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
وصف: | MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 15A (Ta) |
Email: | [email protected] |