SI8401DB-T1-E1
SI8401DB-T1-E1
رقم القطعة:
SI8401DB-T1-E1
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13820 Pieces
ورقة البيانات:
SI8401DB-T1-E1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI8401DB-T1-E1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI8401DB-T1-E1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI8401DB-T1-E1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:4-Microfoot
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:65 mOhm @ 1A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):1.47W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:4-XFBGA, CSPBGA
اسماء اخرى:SI8401DB-T1-E1TR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI8401DB-T1-E1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:17nC @ 4.5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 20V 3.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:3.6A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات