يشترى SI8401DB-T1-E1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI8401DB-T1-E1
- رقم القطعة:
- SI8401DB-T1-E1
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13820 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI8401DB-T1-E1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI8401DB-T1-E1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI8401DB-T1-E1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-Microfoot |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 65 mOhm @ 1A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.47W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 4-XFBGA, CSPBGA |
| اسماء اخرى: | SI8401DB-T1-E1TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SI8401DB-T1-E1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 4.5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 20V 3.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI8401DB-T1-E1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI8405DB-T1-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP | تحقيق |
|
SI8401DB-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP | تحقيق |
 |
CSD18535KTTT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 200A TO-263 | تحقيق |
|
SI8409DB-T1-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP | تحقيق |
 |
ATP304-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK | تحقيق |
 |
IPD60R3K3C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 | تحقيق |
 |
APT15F50K | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 15A TO-220 | تحقيق |
|
SI8405DB-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP | تحقيق |
 |
SI8406DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOT | تحقيق |
 |
SI8407DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP | تحقيق |
 |
STH180N10F3-2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK | تحقيق |
 |
IRF7855PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SIHG21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC | تحقيق |
 |
FCH47N60_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | تحقيق |
|
SI8404DB-T1-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP | تحقيق |
 |
STF34N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 29A TO-220FP | تحقيق |
|
SI8402DB-T1-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP | تحقيق |
 |
FDA8440 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 100A TO-3PN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog