العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > SI8406DB-T2-E1
SI8406DB-T2-E1
SI8406DB-T2-E1
رقم القطعة:
SI8406DB-T2-E1
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOT
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12229 Pieces
ورقة البيانات:
SI8406DB-T2-E1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI8406DB-T2-E1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI8406DB-T2-E1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI8406DB-T2-E1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:850mV @ 250µA
فغس (ماكس):±8V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:6-Micro Foot™
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:33 mOhm @ 1A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):2.77W (Ta), 13W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-UFBGA
اسماء اخرى:SI8406DB-T2-E1TR
SI8406DBT2E1
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI8406DB-T2-E1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:830pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:20nC @ 8V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 20V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.8V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOT
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSI8406DB-T2-E1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SI8409DB-T1-E1 Image SI8409DB-T1-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP تحقيق
SI8401DB-T1-E3 Image SI8401DB-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP تحقيق
SI8405DB-T1-E3 Image SI8405DB-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP تحقيق
MTP2955V Image MTP2955V ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 12A TO-220AB تحقيق
STD30N10F7 Image STD30N10F7 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 30A DPAK تحقيق
SI8405DB-T1-E1 Image SI8405DB-T1-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP تحقيق
MTD20P03HDLT4 Image MTD20P03HDLT4 ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 19A DPAK تحقيق
BSS7728NH6327XTSA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 تحقيق
IXFX26N90 Image IXFX26N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247 تحقيق
SI8401DB-T1-E1 Image SI8401DB-T1-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP تحقيق
NTB6448ANG Image NTB6448ANG ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK تحقيق
SI8404DB-T1-E1 Image SI8404DB-T1-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP تحقيق
NTK3142PT1G Image NTK3142PT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 0.215A SOT-723 تحقيق
SI8402DB-T1-E1 Image SI8402DB-T1-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP تحقيق
SI8407DB-T2-E1 Image SI8407DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP تحقيق
FDV302P_NB8V001 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 تحقيق
IRFPC50PBF Image IRFPC50PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC تحقيق
AON7405 Image AON7405 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 30V 25A 8DFN تحقيق
STW11NK90Z Image STW11NK90Z STMicroelectronics MOSFET N-CH 900V 9.2A TO-247 تحقيق
IXTQ48N20T Image IXTQ48N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P تحقيق

Latest الأخبار