يشترى SI8445DB-T2-E1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 850mV @ 250µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | 4-Microfoot |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 84 mOhm @ 1A, 4.5V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 1.8W (Ta), 11.4W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | 4-XFBGA, CSPBGA |
اسماء اخرى: | SI8445DB-T2-E1TR SI8445DBT2E1 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | SI8445DB-T2-E1 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 700pF @ 10V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 16nC @ 5V |
نوع FET: | P-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | P-Channel 20V 9.8A (Tc) 1.8W (Ta), 11.4W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
وصف: | MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 9.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |