يشترى SI8904EDB-T2-E1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI8904EDB-T2-E1
- رقم القطعة:
- SI8904EDB-T2-E1
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6-MFP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12539 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI8904EDB-T2-E1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI8904EDB-T2-E1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI8904EDB-T2-E1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.6V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-Micro Foot™ |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| السلطة - ماكس: | 1W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-MICRO FOOT®CSP |
| اسماء اخرى: | SI8904EDB-T2-E1TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SI8904EDB-T2-E1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 3.8A 1W Surface Mount 6-Micro Foot™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6-MFP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.8A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI8904EDB-T2-E1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MCH6602-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 0.35A MCPH6 | تحقيق |
 |
EMH2417R-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 12V 11A EMH8 | تحقيق |
 |
SI8902EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP | تحقيق |
 |
SI1988DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6 | تحقيق |
 |
SI5999EDU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK | تحقيق |
|
SI8901EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6-MFP | تحقيق |
 |
NVJD5121NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 | تحقيق |
 |
SI5904DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 | تحقيق |
|
SI4931DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC | تحقيق |
 |
SP8M70TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC | تحقيق |
|
SI8900EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP | تحقيق |
 |
VWM350-0075P | IXYS | MOSFET 6N-CH 75V 340A V2 | تحقيق |
 |
AUIRF7313QTR | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC | تحقيق |
 |
DMN2022UNS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog