العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف > SIA511DJ-T1-GE3
SIA511DJ-T1-GE3
SIA511DJ-T1-GE3
رقم القطعة:
SIA511DJ-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12499 Pieces
ورقة البيانات:
SIA511DJ-T1-GE3.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIA511DJ-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIA511DJ-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIA511DJ-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® SC-70-6 Dual
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
السلطة - ماكس:6.5W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® SC-70-6 Dual
اسماء اخرى:SIA511DJ-T1-GE3TR
SIA511DJT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SIA511DJ-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:400pF @ 6V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:12nC @ 8V
نوع FET:N and P-Channel
FET الميزة:Logic Level Gate
وصف موسع:Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):12V
وصف:MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4.5A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSIA511DJ-T1-GE3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
DMP2100UFU-13 Image DMP2100UFU-13 Diodes Incorporated MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6 تحقيق
SIA519EDJ-T1-GE3 Image SIA519EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 تحقيق
LN60A01ES-LF Monolithic Power Systems Inc. MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC تحقيق
AON6910A Image AON6910A Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/16A 8DFN تحقيق
DMG1023UV-7 Image DMG1023UV-7 Diodes Incorporated MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563 تحقيق
NTLUD3191PZTAG Image NTLUD3191PZTAG ON Semiconductor MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN تحقيق
AO6802L_001 Image AO6802L_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6-TSOP تحقيق
DMN10H700S-13 Diodes Incorporated MOSFET NCH 100V 700MA SOT23 تحقيق
SIA513DJ-T1-GE3 Image SIA513DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 تحقيق
SIA517DJ-T1-GE3 Image SIA517DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 تحقيق
NTUD3128NT5G ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 20V 0.16A SOT-963 تحقيق
SSM6N58NU,LF Image SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 تحقيق
SP8M6FU6TB Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC تحقيق

Latest الأخبار