SIA517DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SIA517DJ-T1-GE3

SIA517DJ-T1-GE3

رقم القطعة:: SIA517DJ-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 15299 Pieces

ورقة البيانات:: SIA517DJ-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIA517DJ-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIA517DJ-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SIA517DJ-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	1V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	PowerPAK® SC-70-6 Dual
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	29 mOhm @ 5A, 4.5V
السلطة - ماكس:	6.5W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	PowerPAK® SC-70-6 Dual
اسماء اخرى:	SIA517DJ-T1-GE3TR SIA517DJT1GE3
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	24 Weeks
الصانع الجزء رقم:	SIA517DJ-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	500pF @ 6V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	15nC @ 8V
نوع FET:	N and P-Channel
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	12V
وصف:	MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	4.5A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSIA517DJ-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
SIA513DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6	تحقيق
APTMC60TLM55CT3AG	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F	تحقيق
FDG6320C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 25V SC70-6	تحقيق
SI7942DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8	تحقيق
SIA519EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6	تحقيق
SIA511DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6	تحقيق
PMDPB42UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6	تحقيق
SQJB80EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET ARRAY 2N-CH 80V SO8	تحقيق
SP8J2TB	Rohm Semiconductor	MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC	تحقيق
SI1029X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 60V SC89-6	تحقيق
SI6993DQ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP	تحقيق
AO4832	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار