SIA778DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SIA778DJ-T1-GE3

SIA778DJ-T1-GE3

رقم القطعة:: SIA778DJ-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 19663 Pieces

ورقة البيانات:: SIA778DJ-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIA778DJ-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIA778DJ-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SIA778DJ-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	1V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	PowerPAK® SC-70-6 Dual
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	29 mOhm @ 5A, 4.5V
السلطة - ماكس:	6.5W, 5W
التعبئة والتغليف:	Original-Reel®
حزمة / كيس:	PowerPAK® SC-70-6 Dual
اسماء اخرى:	SIA778DJ-T1-GE3DKR
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	18 Weeks
الصانع الجزء رقم:	SIA778DJ-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	500pF @ 6V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	15nC @ 8V
نوع FET:	2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V, 20V 4.5A, 1.5A 6.5W, 5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	12V, 20V
وصف:	MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	4.5A, 1.5A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSIA778DJ-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
AON7804	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN	تحقيق
SH8M24TB1	Rohm Semiconductor	MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8	تحقيق
IRF7342TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC	تحقيق
PMDT290UCE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 20V SOT666	تحقيق
APTC60DDAM70T1G	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1	تحقيق
SI1563EDH-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6	تحقيق
IPG20N06S4L11AATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 8TDSON	تحقيق
SI7501DN-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8	تحقيق
IPG20N04S408ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8	تحقيق
BSC150N03LD G	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON	تحقيق
DMN3032LFDB-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6	تحقيق
SIA777EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار