SIA975DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SIA975DJ-T1-GE3

SIA975DJ-T1-GE3

رقم القطعة:: SIA975DJ-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 13860 Pieces

ورقة البيانات:: SIA975DJ-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIA975DJ-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIA975DJ-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SIA975DJ-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	1V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	PowerPAK® SC-70-6 Dual
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	41 mOhm @ 4.3A, 4.5V
السلطة - ماكس:	7.8W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	PowerPAK® SC-70-6 Dual
اسماء اخرى:	SIA975DJ-T1-GE3TR SIA975DJT1GE3
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	24 Weeks
الصانع الجزء رقم:	SIA975DJ-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	1500pF @ 6V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	26nC @ 8V
نوع FET:	2 P-Channel (Dual)
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	12V
وصف:	MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	4.5A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSIA975DJ-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
AON6971	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 23A/40A 8DFN	تحقيق
SM6K2T110	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457	تحقيق
IPG20N04S412ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 8TDSON	تحقيق
STS4C3F60L	STMicroelectronics	MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC	تحقيق
NTZD3154NT2G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563	تحقيق
IRF7105QTRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC	تحقيق
APTM10HM09FT3G	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3	تحقيق
TT8J2TR	Rohm Semiconductor	MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8	تحقيق
IRF7328TR	Infineon Technologies	MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC	تحقيق
ALD114813PCL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP	تحقيق
ZXMN2A04DN8TC	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC	تحقيق
FDG6301N_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6	تحقيق
STL20DNF06LAG	STMicroelectronics	MOSFET 2NCH 60V 20A POWERFLAT	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار