يشترى SIDC42D120F6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SIDC42D120F6
- رقم القطعة:
- SIDC42D120F6
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14070 Pieces
- ورقة البيانات:
- SIDC42D120F6.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIDC42D120F6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIDC42D120F6 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.1V @ 50A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V (1.2kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | Sawn on foil |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Die |
| اسماء اخرى: | SP000014012 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SIDC42D120F6 |
| وصف موسع: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 50A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 27µA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 50A (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIDC42D120F6
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIDC42D120E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER | تحقيق |
|
SIDC42D60E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 100A WAFER | تحقيق |
 |
SS1P6LHE3/84A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO220AA | تحقيق |
|
SIDC42D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER | تحقيق |
|
SIDC42D170E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.7KV 50A WAFER | تحقيق |
 |
EGP10A-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL | تحقيق |
|
TVR10G-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL | تحقيق |
|
SIDC46D170H | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.7KV 75A WAFER | تحقيق |
 |
DSI30-12AC | IXYS | DIODE GEN 1.2KV 30A ISOPLUS220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog