يشترى DSI30-12AC مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DSI30-12AC
- رقم القطعة:
- DSI30-12AC
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN 1.2KV 30A ISOPLUS220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16539 Pieces
- ورقة البيانات:
- DSI30-12AC.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DSI30-12AC ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DSI30-12AC عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.45V @ 45A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V (1.2kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS220™ |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | ISOPLUS220™ |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | DSI30-12AC |
| وصف موسع: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 30A Through Hole ISOPLUS220™ |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN 1.2KV 30A ISOPLUS220 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 50µA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 30A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSI30-12AC
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSI30-08AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 | تحقيق |
|
DSI30-12AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 | تحقيق |
 |
VS-40APS16PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.6KV 40A TO247AC | تحقيق |
 |
DSI30-08AC | IXYS | DIODE GEN 800V 30A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
1N4448WS-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323 | تحقيق |
 |
DSI30-08A | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 30A TO220AC | تحقيق |
|
DSI30-16A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO220AC | تحقيق |
|
DSI30-12A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC | تحقيق |
|
DSI30-08AS | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 | تحقيق |
 |
1N5401-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD | تحقيق |
|
DSI30-16AS | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | تحقيق |
 |
MBR1080 | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO220-2 | تحقيق |
 |
VS-70HFR40 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 70A DO203AB | تحقيق |
 |
SBLB10L25HE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB | تحقيق |
 |
IRD3CH42DB6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A DIE | تحقيق |
|
DSI30-16AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | تحقيق |
 |
NRVUS240T3G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 2A SMB | تحقيق |
 |
EGP30C-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 3A GP20 | تحقيق |
|
DSI30-12AS | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 | تحقيق |
|
DSI30-16AS-TUBE | IXYS | DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog