يشترى SIE806DF-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SIE806DF-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SIE806DF-T1-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15636 Pieces
- ورقة البيانات:
- SIE806DF-T1-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIE806DF-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIE806DF-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 10-PolarPAK® (L) |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.7 mOhm @ 25A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 10-PolarPAK® (L) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SIE806DF-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 13000pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 250nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIE806DF-T1-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF840LCS | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK | تحقيق |
 |
SIE806DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | تحقيق |
 |
DMNH4006SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 18A TO252 | تحقيق |
 |
SIE800DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK | تحقيق |
 |
IXFH10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-247 | تحقيق |
|
SIE808DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK | تحقيق |
 |
SIHJ10N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 10A SO8 | تحقيق |
 |
CSD17309Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 60A 8SON | تحقيق |
|
SIE800DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK | تحقيق |
 |
IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 5A TO252 | تحقيق |
 |
HUFA76437P3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 71A TO-220AB | تحقيق |
 |
IXFX80N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247 | تحقيق |
|
SIE802DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | تحقيق |
 |
AOD425 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 9A TO252 | تحقيق |
|
SIE804DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 37A POLARPAK | تحقيق |
|
SIE802DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | تحقيق |
|
SIE808DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK | تحقيق |
|
NDBA180N10BT4H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 180A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog