يشترى SIE810DF-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SIE810DF-T1-E3
- رقم القطعة:
- SIE810DF-T1-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13543 Pieces
- ورقة البيانات:
- SIE810DF-T1-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIE810DF-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIE810DF-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 10-PolarPAK® (L) |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.4 mOhm @ 25A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 10-PolarPAK® (L) |
| اسماء اخرى: | SIE810DF-T1-E3TR SIE810DFT1E3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SIE810DF-T1-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 13000pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 300nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 20V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIE810DF-T1-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIE810DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK | تحقيق |
 |
STI24NM65N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK | تحقيق |
 |
PSMN020-100YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK | تحقيق |
 |
STQ2LN60K3-AP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92 | تحقيق |
 |
2N7002-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | تحقيق |
|
SIE818DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK | تحقيق |
|
SI4874BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC | تحقيق |
|
SIE818DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK | تحقيق |
 |
IXTX6N200P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | تحقيق |
 |
STDLED524 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 4A DPAK | تحقيق |
|
SIE816DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK | تحقيق |
|
SIE812DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK | تحقيق |
 |
SKP202 | Sanken | MOSFET N-CH 200V 45A TO-263 | تحقيق |
 |
STP10NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | تحقيق |
|
SIE816DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK | تحقيق |
 |
R6011KNJTL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3 | تحقيق |
|
SIE812DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK | تحقيق |
 |
SIR416DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog