SIE810DF-T1-E3
SIE810DF-T1-E3
رقم القطعة:
SIE810DF-T1-E3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13543 Pieces
ورقة البيانات:
SIE810DF-T1-E3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIE810DF-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIE810DF-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIE810DF-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:10-PolarPAK® (L)
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.4 mOhm @ 25A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):5.2W (Ta), 125W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:10-PolarPAK® (L)
اسماء اخرى:SIE810DF-T1-E3TR
SIE810DFT1E3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIE810DF-T1-E3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:13000pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:300nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 20V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات