يشترى SIHG22N50D-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SIHG22N50D-E3
- رقم القطعة:
- SIHG22N50D-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17707 Pieces
- ورقة البيانات:
- SIHG22N50D-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIHG22N50D-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIHG22N50D-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247AC |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 230 mOhm @ 11A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 312W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SIHG22N50D-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1938pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 98nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 22A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247AC |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 22A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIHG22N50D-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIHG24N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC | تحقيق |
|
SIHG22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC | تحقيق |
|
SIHG22N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC | تحقيق |
|
SIHG28N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 28A TO-247AC | تحقيق |
|
SIHG22N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC | تحقيق |
|
SIHG22N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC | تحقيق |
|
SIHG20N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 20A TO247 | تحقيق |
 |
SIHG23N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC | تحقيق |
|
SIHG20N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC | تحقيق |
|
SIHG22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC | تحقيق |
|
SIHG21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC | تحقيق |
|
SIHG25N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC | تحقيق |
|
SIHG24N65E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC | تحقيق |
|
SIHG24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog