SIHH21N65E-T1-GE3
SIHH21N65E-T1-GE3
رقم القطعة:
SIHH21N65E-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16443 Pieces
ورقة البيانات:
SIHH21N65E-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIHH21N65E-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIHH21N65E-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIHH21N65E-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® 8 x 8
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:170 mOhm @ 11A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):156W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerTDFN
اسماء اخرى:SIHH21N65E-T1-GE3TR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:20 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIHH21N65E-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2404pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:99nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 20.3A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:20.3A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات