العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > SIHH28N60E-T1-GE3
SIHH28N60E-T1-GE3
SIHH28N60E-T1-GE3
رقم القطعة:
SIHH28N60E-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 600V 29A 8-PWRTDFN
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18763 Pieces
ورقة البيانات:
SIHH28N60E-T1-GE3.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIHH28N60E-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIHH28N60E-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIHH28N60E-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® 8 x 8
سلسلة:E
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:98 mOhm @ 14A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):202W (Tc)
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:8-PowerTDFN
اسماء اخرى:SIHH28N60E-T1-GE3CT
SIHH28N60E-T1-GE3CT-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:20 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIHH28N60E-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2614pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:129nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 29A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 29A 8-PWRTDFN
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:29A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSIHH28N60E-T1-GE3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTH96N25T Image IXTH96N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 96A TO-247 تحقيق
SIHH21N65E-T1-GE3 Image SIHH21N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8 تحقيق
SI3483CDV-T1-GE3 Image SI3483CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP تحقيق
IRF7433TRPBF Image IRF7433TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC تحقيق
HUFA75343S3ST Image HUFA75343S3ST Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK تحقيق
SIHH24N65E-T1-GE3 Image SIHH24N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK تحقيق
IXTT110N10L2 Image IXTT110N10L2 IXYS MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 تحقيق
SIHH20N50E-T1-GE3 Image SIHH20N50E-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 22A PWRPAK 8X8 تحقيق
SIHH24N65EF-T1-GE3 Image SIHH24N65EF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK تحقيق
IRFU4105ZTRR Image IRFU4105ZTRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK تحقيق
SIHH21N65EF-T1-GE3 Image SIHH21N65EF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK تحقيق
CSD18512Q5B Texas Instruments 40V N CH MOSFET تحقيق
SIHH26N60E-T1-GE3 Image SIHH26N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8 تحقيق
IRFSL7440PBF Image IRFSL7440PBF Infineon Technologies MOSFET N CH 40V 120A TO-262 تحقيق
SIHH21N60E-T1-GE3 Image SIHH21N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8 تحقيق
IXFK33N50 Image IXFK33N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 33A TO-264AA تحقيق
SI4421DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC تحقيق
SIHH21N60EF-T1-GE3 Image SIHH21N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK تحقيق
SIHH26N60EF-T1-GE3 Image SIHH26N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK تحقيق
IXFR24N100Q3 Image IXFR24N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 تحقيق

Latest الأخبار