العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > SIHU6N65E-GE3
SIHU6N65E-GE3
SIHU6N65E-GE3
رقم القطعة:
SIHU6N65E-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16407 Pieces
ورقة البيانات:
SIHU6N65E-GE3.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIHU6N65E-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIHU6N65E-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIHU6N65E-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:IPAK (TO-251)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:600 mOhm @ 3A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):78W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:19 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIHU6N65E-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:820pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:48nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSIHU6N65E-GE3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SIHP18N50C-E3 Image SIHP18N50C-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 18A TO220 تحقيق
IRF1010ZLPBF Image IRF1010ZLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 75A TO-262 تحقيق
IRLMS6702TR Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP تحقيق
FQPF9N50CT Image FQPF9N50CT Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F تحقيق
IXFP130N10T2 Image IXFP130N10T2 IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 تحقيق
2N7636-GA GeneSiC Semiconductor TRANS SJT 650V 4A TO276 تحقيق
SIHU6N62E-GE3 Image SIHU6N62E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 620V 6A TO-251 تحقيق
IXTA3N100D2 Image IXTA3N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK تحقيق
IRLMS1503TR Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP تحقيق
DMP2039UFDE4-7 Image DMP2039UFDE4-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN تحقيق
SIR496DP-T1-GE3 Image SIR496DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 تحقيق
IXFT36N60P Image IXFT36N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3 تحقيق
IXTA38N15T Image IXTA38N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 38A TO-263 تحقيق
CSD13306WT Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 6DSBGA تحقيق
IRF9392TRPBF Image IRF9392TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC تحقيق
AOT254L Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 150V 4.2A TO220 تحقيق
IRFZ44VS Image IRFZ44VS Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK تحقيق
IRFH5306TR2PBF Image IRFH5306TR2PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN تحقيق
BSB012NE2LX Image BSB012NE2LX Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2 تحقيق

Latest الأخبار